ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「ＮＶＳＭＷ ２０００」 混載向けのセル構造の 研究成果が相次ぐ
日経マイクロデバイス 第178号 2000.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第178号（2000.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全410字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
フラッシュ・メモリー研究開発 混載向けに様々なフラッシュ・メモリー・セルの研究開発が進んでいる。２月１３日〜１７日に米国で開かれた「Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ２０００（ＮＶＳＭＷ ２０００）」では各種セルの研究成果が相次いだ。米ＩＳＤ， Ｉｎｃ．がｓｐｌｉｔ−ｇａｔｅ ｓｏｕｒｃｅ−ｓｉｄｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ（ＳＳＩ）セルにおける書き込み動作の詳細な…
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