ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜高集積や混載に向く 強誘電体メモリー技術を 松下電子が開発，実用化へ
日経マイクロデバイス 第178号 2000.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第178号（2000.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全428字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 138ページ目 |
強誘電体メモリーシステムＬＳＩ 高集積や混載に向く強誘電体メモリー技術を松下電子工業が開発，２０００年１２月までに実用化する。従来は強誘電体であるＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）の形成温度が８００℃と高かったため，高集積に向くスタック構造や混載に必要なサリサイド技術を導入できなかった。今回，二つの技術によって温度を６５０℃に下げることができた。第１は，非平衡状態で結晶化するようにしたことである。強誘…
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