ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｖｉｒｔｕａｌ Ｓｉｌｉｃｏｎと 台湾ＵＭＣが今後５年間 不揮発性メモリーで提携
日経マイクロデバイス 第170号 1999.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第170号（1999.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全267字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （41kb） |
| 雑誌掲載位置 | 189ページ目 |
フラッシュ・メモリー提携不揮発性メモリー 米Ｖｉｒｔｕａｌ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．と台湾Ｕｎｉｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐ．（ＵＭＣ ）グループが，不揮発性メモリーの技術開発とマーケティングに関し５年間におよぶ戦略的な提携を結んだ。この提携には，ＵＭＣの０．２５μｍルールと０．１８μｍルールのロジックＬＳＩへ混載するフラッシュ・メモリーとＥ２ＰＲＯＭ…
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