ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜富士通，米ＡＭＤ，ＦＡＳＬ 岩手工場を活用し フラッシュ増産へ
日経マイクロデバイス 第170号 1999.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第170号（1999.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全367字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （41kb） |
| 雑誌掲載位置 | 189ページ目 |
フラッシュ・メモリー工場ＤＲＡＭ 富士通，米Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｉｎｃ．（ＡＭＤ），富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ（ＦＡＳＬ）は，フラッシュ・メモリー生産に関し富士通の岩手工場を活用することを検討し始めた。従来はＦＡＳＬの工場に集約してきたが，ＦＡＳＬの工場と岩手工場を使う２拠点体制を敷こうとする。変更の理由は二つ。一つは，好調なフラッシュ・メモリーの需要にＦＡ…
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