ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜三菱電機 台湾のＰＳＣとＶａｎｇｕａｒｄに ＤＲＡＭ技術を供与
日経マイクロデバイス 第170号 1999.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第170号（1999.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全323字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （41kb） |
| 雑誌掲載位置 | 188ページ目 |
ＤＲＡＭ微細化工場 三菱電機は台湾Ｐｏｗｅｒｃｈｉｐ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐ．（ＰＳＣ）と台湾Ｖａｎｇｕａｒｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐ．に０．２μｍルールと０．１８μｍルールのＤＲＡＭ技術を供与する。ＰＳＣへは０．２５μｍ技術を供与して生産を委託していたが，Ｖａｎｇｕａｒｄへの技術供与は今回が初めて。ＰＳＣとＶａｎｇｕａｒｄはいずれも，２００…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全323字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ウォッチャ〜大手Ｓｉファウンドリ２社が それぞれ戦略的な アライアンスを実施
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｍｉｃｒｏｎ問題契機に ０．１８μｍ量産計画が明らかに 開始時期は大きくバラつく
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜６４Ｍ ＤＲＡＭ価格 大口向けは下落続き スポットは上昇
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜富士通，米ＡＭＤ，ＦＡＳＬ 岩手工場を活用し フラッシュ増産へ
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜０．２５μｍの フラッシュ・メモリー技術で 三洋電機と米ＳＳＴが協業
