ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜シンガポールＣｈａｒｔｅｒｅｄと 米ＮｅｘＦｌａｓｈ，０．２５μｍの フラッシュ混載技術で提携
日経マイクロデバイス 第168号 1999.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第168号（1999.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全345字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 153ページ目 |
フラッシュ・メモリー混載提携 Ｓｉファウンドリ大手のシンガポールＣｈａｒｔｅｒｅｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ， Ｌｔｄ．とフラッシュ・メモリー・メーカーの米ＮｅｘＦｌａｓｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．は，フラッシュ・メモリー混載ロジックＬＳＩ向け技術の共同開発を０．２５μｍまで延長すると発表した。両社はすでに０．５μｍと０．３５μｍの共同開発で提携していた。…
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