ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜ＡｒＦ露光を使い ゲート長８０ｎｍの メモリー・セルを試作
日経マイクロデバイス 第168号 1999.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第168号（1999.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全281字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 152ページ目 |
微細化メモリー露光技術 ＡｒＦエキシマ・レーザー露光を使い，浮遊ゲートの寸法が８０×１６０ｎｍ２のフラッシュ・メモリー・セルの試作に，米Ｌｕｃｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社Ｂｅｌｌ研究所が成功した。光露光を使ったデバイスの試作としては世界最小という。これまで，波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザー露光を使って７０ｎｍの孤立パターンを解像した例などがあった。しかし，デバイスを試作した例としては…
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