ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｒａｍｔｒｏｎと日本真空技術 ０．２５μｍ以降の強誘電体 メモリー技術を共同開発
日経マイクロデバイス 第168号 1999.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第168号（1999.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全312字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 153ページ目 |
強誘電体メモリー大容量化提携 米Ｒａｍｔｒｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐ．と日本真空技術は，０．２５μｍ以降の強誘電体メモリー技術の共同開発に関して基本合意した。ＣＶＤ，エッチング，結晶化などの各プロセス技術と，そこに使われる製造装置を共同開発する。これによって，Ｒａｍｔｒｏｎは強誘電体メモリーの４Ｍビット以上への大容量化を加速する。一方，日本真空技術は２００２年に３００億円に拡大する…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全312字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜シンガポールＣｈａｒｔｅｒｅｄと 米ＮｅｘＦｌａｓｈ，０．２５μｍの フラッシュ混載技術で提携
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜米Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ 微細マスク・パターンの 自動生成ツールを発売
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜ＩＰ調達の成功に向けた ユーザーが取るべき 方策をＮＥＣが明らかに
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜民生機器向けを強化する 日立，システムＬＳＩや 高周波ＬＳＩに投資
ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜「ＣＩＣＣ ’９８」報告 高性能化から 低コスト・低電力化へ
