Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 半導体、「後ろ」が最前線〜「裏面電源供給」でさらなる微細化 鍵はウエハーの貼り合わせ
日経エレクトロニクス 第1267号 2024.9.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1267号（2024.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3418字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1022kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54〜57ページ目 |
ＢＳＰＤＮ半導体微細化による新たな課題を解消する技術、「裏面電源供給（ＢＳＰＤＮ）」。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（サムスン電子）が採用時期を決め、最先端半導体を量産する大手３社の実用化ロードマップが出そろった。先陣を切るのは２０２４年内の実用化を見据える米Ｉｎｔｅｌ（インテル）だ。実現に向けては、ウエハー同士の接合技術が鍵となる。「裏面電源供給は、プロセス技術が複雑で、製造コストも…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「4ページ（全3418字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 半導体、「後ろ」が最前線〜Ｓｉ代替の開発加速 ラピダスは２７年に大型パネル採用
Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 半導体、「後ろ」が最前線〜半導体の必須技術に ３０年にはＤＲＡＭやロジックにも浸透
Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 解説 インタビュー〜後工程は液晶パネル製造技術と融合する 千歳工場内に世界最先端ラインを構築
Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 解説 量子計算機〜量子エラー訂正の技術進化が急加速 量子コンピューターの誤り耐性実現に期待
Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 解説 パワエレアワード２０２４〜社会課題を乗り越える技術続々 パワエレ設計が劇的単純化
