Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 半導体製造の最前線〜もっと深く、もっと速く ３次元半導体が突きつける難問
日経エレクトロニクス 第1263号 2024.5.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1263号（2024.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4961字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （918kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43〜46ページ目 |
第３部：エッチング装置先端半導体の産業トレンドが、垂直方向の面積を活用する３次元構造だ。垂直方向に深くなるということは、そのままエッチングの深さにつながる。さらに、３次元化には異方向加工も欠かせない。緻密さと短い加工時間の両立をいかに実現するか。装置各社が新たな技術開発に取り組む。もっと深く、速く、直線的に─。先端半導体の構造変化が、ウエハー上の薄膜を削るエッチング装置に新たな課題を突きつけている…
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