Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集１ 半導体製造の最前線〜３次元化がロジック・ＮＡＮＤに続きＤＲＡＭに 製造に求められる精密さと速度の両立
日経エレクトロニクス 第1263号 2024.5.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1263号（2024.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全5700字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1404kb） |
| 雑誌掲載位置 | 32〜37ページ目 |
第１部：総論ＮＡＮＤフラッシュメモリー、ロジック半導体に続き、ＤＲＡＭにも３次元構造の波が押し寄せている。この“変革”に応じて、半導体製造装置メーカーへの要求も様変わりしている。構造の複雑化に対応する緻密な加工だけではない。従来の垂直方向から、水平方向の加工ニーズが高まる。これらを「いかに速度を落とさずに実現できるか」という挑戦が進む。半導体製造は今、「デバイス構造の３次元化」という共通課題に直面…
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