Ｔｕｔｏｒｉａｌ〜５分で０．５μｍ径の貫通孔をＴＳＶにする新技術を開発
日経マイクロデバイス　第294号　2009.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第294号（2009.12.1）
ページ数	4ページ　（全2529字）
形式	PDFファイル形式　（961kb）
雑誌掲載位置	95〜98ページ目

電極材料の開発を手掛けるベンチャ企業のナプラが，ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を実現する全く新しいプロセス技術を開発した。これは，深い貫通孔に導電体を充填するために使われているＣｕめっきを置き換える技術である。Ｃｕめっきを使う場合に比べて，プロセス・コストを半分以下にできる。これにより，５０米ドル／ウエーハ以下でＴＳＶを形成できる可能性がある。今回，この新プロセスを開発した同社と，その評価や解析，コスト分…