Ｆｅａｔｕｒｅ〜３０ｎｍ以下の欠陥を検出する技術，暗視野と明視野の２方式が競演
日経マイクロデバイス　第294号　2009.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第294号（2009.12.1）
ページ数	6ページ　（全7156字）
形式	PDFファイル形式　（869kb）
雑誌掲載位置	89〜94ページ目

３０ｎｍ以降のプロセスを使うＬＳＩ向け欠陥検査技術が，相次いで登場してきた。従来なら欠陥とならなかった３０ｎｍ以下の微小欠陥を観察できるようにする。このような欠陥のうち，ＬＳＩの製造歩留まりを左右する重要欠陥には，Ｓｉウエーハ上の異物，平坦化工程でできる微細な傷（シャロー・スクラッチ），Ｓｉウエーハ内の活性領域の結晶欠陥がある。これらの検査技術として，暗視野で反射光を利用する方式と，明視野で散乱光…