Ｆｅａｔｕｒｅ〜ＥＵＶ露光が量産適用へ，課題解決が急速に進む
日経マイクロデバイス 第294号 2009.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第294号（2009.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6131字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1108kb） |
| 雑誌掲載位置 | 83〜88ページ目 |
２０ｎｍ台のメモリーの量産に，次世代のパターニング技術であるＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光を適用できる技術的な見通しが付いてきた。ＥＵＶ露光はこれまで，量産への適用時期を後退させることを繰り返してきた。メモリー・メーカーの要求仕様に対して，関連技術の開発が追い付かなかったためである。ところが，ここに来て露光光源や，レジストなどの技術課題が大幅に改善し，メモリー・メーカーの要求…
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