Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１〜Ｐａｒｔ１ 技術進化の危機
日経マイクロデバイス 第290号 2009.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第290号（2009.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 7ページ （全7082字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （918kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜20ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーが，間もなく微細化限界に直面する。現行のメモリー・セル技術の限界から，１Ｘｎｍ（１９〜１０ｎｍ）世代の２０１２年にも微細化が止まる。この危機を乗り越え，Ｔビットへの道を拓くのが，メモリー・セルを３次元積層する技術である。この技術で微細化の停滞をしのぐ間に，ＮＡＮＤ型フラッシュの微細化限界を超えられるＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）の実用化や，ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅ…
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