Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２〜Ｐａｒｔ２ 微細化限界の克服
日経マイクロデバイス 第290号 2009.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第290号（2009.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7535字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （798kb） |
| 雑誌掲載位置 | 23〜28ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの微細化限界を乗り越える技術の開発を，大手デバイス・メーカーが加速させている。ＮＡＮＤ型フラッシュのメモリー・セルの３次元積層技術では，先行する東芝を韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が追撃し始めた。東芝は，２００７年に開発した３次元積層技術である「ＢｉＣＳ（Ｂｉｔ−Ｃｏｓｔ Ｓｃａｌａｂｌｅ）」の完成度を着々と高めている。ＮＡＮＤ型フラッ…
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