Ｆｅａｔｕｒｅ〜ＡＬＤの適用拡大が足踏み ゲートは遅れ，配線はスパッタ存続
日経マイクロデバイス 第290号 2009.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第290号（2009.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全7778字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1089kb） |
| 雑誌掲載位置 | 31〜38ページ目 |
ＬＳＩの微細化と高集積化に伴い，段差被覆性（ステップ・カバレッジ）が高く原子レベルで膜組成を制御できる成膜技術への要求が高まっている。このため，従来のスパッタ技術やＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術から，ＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術への移行が進んできた。しかし，この移行にブレーキがかかった。トランジスタ形成（フロントエンド）工程では，３…
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