Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら〜ＮＡＮＤ型フラッシュ，Ｔビットへのシナリオ
日経マイクロデバイス 第290号 2009.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第290号（2009.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1212字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （569kb） |
| 雑誌掲載位置 | 13ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーが，技術進化の分岐点に差し掛かっている。これまで大容量化と低コスト化をけん引してきた微細化が，早ければ２０１２年に１Ｘｎｍ世代で限界を迎える。微細化に代わって進化の主役となるのが，セルの３次元積層である。ここに来て，多くの層を一括形成でき，プロセス・コストを抑えられる３次元積層技術の完成度が高まってきた。これにより，Ｔビット品を低コストに量産する道が見えてきた。１Ｘｎ…
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