Ｉｎｓｉｄｅ　ＬＳＩ〜不揮発性ＤＲＡＭの全貌回路技術で既存ＤＲＡＭ互換に
日経マイクロデバイス　第284号　2009.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第284号（2009.2.1）
ページ数	5ページ　（全5351字）
形式	PDFファイル形式　（615kb）
雑誌掲載位置	51〜55ページ目

ＤＲＡＭの製造プロセスを基にした不揮発性のＤＲＡＭを，創立間もない米国の技術系ベンチャが開発した。このメモリーは，高速ランダム・アクセスが可能で，新材料を使わずに不揮発性を備える。待機時消費電力の削減やインスタント・オン機能の追加を強みに，既存のＤＲＡＭの代替を狙う。今回，このメモリー技術の開発者で同社の創業者であるＷｉｎｇｙｕ　Ｌｅｕｎｇ氏が，本誌にその詳細を明らかにした。（三宅　常之＝本誌）Ｗ…