Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜非プレーナＦＥＴで微細化を継続
日経マイクロデバイス 第284号 2009.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第284号（2009.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3383字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （302kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48〜49ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は３２ｎｍ世代のＣＭＯＳの開発を完了させた。２００９年第４四半期から量産を開始する。２年おきの微細化という同社のロードマップを今回も堅持したことになる。同社は，技術障壁が格段に高まるとの指摘が多い２２ｎｍ世代以降への微細化の見通しを付けているのか。ＣＭＯＳプロセス技術の開発を主導するＭａｒｋ Ｔ． Ｂｏｈｒ氏に聞いた。米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ． Ｓｅｎｉｏｒ Ｆｅｌｌｏｗ，Ｄ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全3383字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ〜テレビの近未来が見えた
Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜プレーナＦＥＴは２２ｎｍで終焉へ非プレーナ型の時代が到来
Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜不揮発性ＤＲＡＭの全貌回路技術で既存ＤＲＡＭ互換に
Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜台頭する低価格機器向けＬＳＩ技術より安さへのこだわりが重要
Ｉｎｓｉｄｅ ＭＥＭＳ〜５／６軸のモーション・センサー独自ＭＥＭＳ構造で１チップ化
