Tech−On!Ranking[LSI]〜GeチャネルMOS FETキャリヤ移動度向上策が続々と
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全256字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 109ページ目 |
「2007 IEDM」の会期最終日には,CMOS性能向上技術の一つとして期待されるGeチャネルMOS FETに関する報告が集中した。Ge基板を使ったMOS FETでは,GeOxNy/GeあるいはGeO2/Ge界面を用いることで高いキャリヤ移動度を実現できることが提案された。特に,これまで低いキャリヤ移動度が課題だったnMOS FETの性能を,ソース接合や面方位の工夫により大きく向上できる可能性が…
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