Tech−On!Ranking[LSI]〜IntelとTSMC45nm世代の高性能CMOSを発表
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全338字) |
形式 | PDFファイル形式 (312kb) |
雑誌掲載位置 | 109ページ目 |
「2007 IEDM」会期2日目の午前には,三つのセッションで高誘電率(high−k)絶縁膜/メタル・ゲート(MGHK:metal gate/high−k)に関する発表が行われた。注目を集めた米Intel Corp.の45nm世代CMOSの発表は,“Advanced CMOS Logic and SoC Platforms”のセッション(Session 10)で行われた。それと前後して,台湾Ta…
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