Report[LSI]〜ホンダが3次元LSI試作周波数2倍,電力2/3を確認
日経マイクロデバイス 第272号 2008.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第272号(2008.2.1) |
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ページ数 | 2ページ (全1483字) |
形式 | PDFファイル形式 (401kb) |
雑誌掲載位置 | 104〜105ページ目 |
「貫通電極を使った3次元LSIを実際に動作させた結果を初めて見た。しかも自動車メーカーが…」(半導体実装技術者)。ホンダの研究開発子会社であるホンダ・リサーチ・インスティチュート・ジャパン(HRI)は,マイクロプロセサとカスタムLSI,SDRAMの三つのLSIを貫通電極を使って積層した3次元LSIを試作した(図1)1)。 貫通電極を使った3次元LSIの開発では,接続性の評価にとどまるLSIメーカ…
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