Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＤＲＡＭは３０ｎｍ台を境に不揮発へエルピーダが新型ＲＡＭに本腰
日経マイクロデバイス 第269号 2007.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第269号（2007.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2031字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （341kb） |
| 雑誌掲載位置 | 108〜109ページ目 |
エルピーダメモリが，ＤＲＡＭの３０ｎｍ台への微細化ロードマップとＤＲＡＭに代わる新型不揮発性ＲＡＭの開発状況を明らかにした注１）。ＤＲＡＭを４０〜３５ｎｍ世代まで延命し，その後は「不揮発性ＲＡＭで代替する」（同社 取締役 執行役員・ＣＴＯの安達隆郎氏）との姿勢を打ち出した。ＤＲＡＭを置き換える不揮発性ＲＡＭとして，同社はＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）とＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ…
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