Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜キャパシタレスＤＲＡＭやトンネル型ＦＥＴ高速・低電力デバイスで新提案が相次ぐ
日経マイクロデバイス 第269号 2007.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第269号（2007.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1033字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 114ページ目 |
バルクＳｉ基板によるキャパシタレスＤＲＡＭや量子効果を利用するトンネル型ＦＥＴ。３２ｎｍ以降を狙うこうした高速・低電力デバイスとその応用事例が，２００７年９月１０〜１４日の「Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＳＳＤＥＲＣ） ２００７」に相次いだ（図１）。いずれもスイス連邦工科大学（ＥＰＦ：Ｅｃｏｌｅ Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｑｕｅ Ｆ〓…
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