Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜薄いＳｉウエーハ向けにＸＳｉＬがレーザー・ダイシング装置
日経マイクロデバイス 第267号 2007.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第267号（2007.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全295字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （315kb） |
| 雑誌掲載位置 | 99ページ目 |
アイルランドＸＳｉＬ社は，薄いＳｉウエーハに特化したレーザー・ダイシング装置を７月１６〜２０日に米国サンフランシスコで開催の「ＳＥＭＩＣＯＮ Ｗｅｓｔ ２００７」に合わせて発売した。前工程で処理される３００ｍｍ径のＳｉウエーハの厚さは７７５μｍである。一方，後工程で処理されるウエーハの厚さは，高密度実装に向けてここに来て１００μｍ以下といった水準に薄くなっている。今回，同社が発売したレーザー・ダ…
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