Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜米ＩＢＭ，カーボン・ナノチューブによるＦＥＴのＣＭＯＳ論理回路への応用手法を披露
日経マイクロデバイス 第262号 2007.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第262号（2007.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全443字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （329kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98ページ目 |
カーボン・ナノチューブの研究が，ＣＭＯＳ論理回路への応用に向けて動き始めた。米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が，カーボン・ナノチューブによるトランジスタ（ＣＮＦＥＴ）で構成したリング・オシレータの動作実証に成功し，その成果を米国サンフランシスコで開催中の「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ） ２００７」で発表した（講演番号３．４）。同社は２…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全443字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝，２２ｎｍ世代向けフィンＦＥＴを形成した３００ｍｍ試作ウエーハを出展
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「『ＲＲＡＭ』の実用化への道見えた」シャープ参画プロジェクトの進展を産総研らが報告
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜三菱電機，ワイヤー放電で１５０ｍｍ角の太陽電池用Ｓｉウエーハを加工
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇ，ＰＲＡＭの評価用サンプルを携帯電話機メーカーに出荷
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜独ＱｉｍｏｎｄａのＤＲＡＭ事業“一芸勝負”のチップで非ＰＣ用途を開拓
