Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜東芝，２２ｎｍ世代向けフィンＦＥＴを形成した３００ｍｍ試作ウエーハを出展
日経マイクロデバイス 第262号 2007.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第262号（2007.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全401字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （329kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98ページ目 |
東芝は，２２ｎｍ世代向けのフィンＦＥＴを形成した３００ｍｍ試作ウエーハを「国際ナノテクノロジー総合展・技術会議（ｎａｎｏ ｔｅｃｈ ２００７）」に出展した。既存のＡｒＦ露光技術のまま，プロセスを工夫することによってゲート長１５ｎｍ，フィン幅１０ｎｍの微細加工を実現した。今回採用したプロセス「Ｓｉｄｅｗａｌｌ Ｔｒａｎｓｆｅｒ（ＳＷＴ）」では，ダミー・パターンの左右の壁面に薄膜を形成し，この薄膜を…
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