Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＭＥＭＳ］〜独ＢｏｓｃｈＳｉＧｅ犠牲層エッチングの新手法を提案
日経マイクロデバイス 第261号 2007.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第261号（2007.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全332字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （931kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
独Ｒｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ ＧｍｂＨは，犠牲層エッチング技術の新手法を開発し，「ＭＥＭＳ２００７」で発表した（１月２３日のセッション４）。今回のプロセス技術は，センサーやアクチュエータの可動部を作ったり，これをゴミが入らないよう密閉したりするために，中空構造を形成する際に使える。ＳｉＧｅを犠牲層とするエッチング・プロセスに適用する。すなわち，ＳｉＧｅ膜の上に，構造体となるＳｉ膜などを形成してから…
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