Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＭＥＭＳ］〜日立はＬＳＩ配線工程で“ＭＥＭＳ ｏｎ ＣＭＯＳ”
日経マイクロデバイス 第261号 2007.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第261号（2007.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全337字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （931kb） |
| 雑誌掲載位置 | 97ページ目 |
日立製作所は，ＣＭＯＳ部の上に，ＬＳＩの配線プロセスで圧力センサーを形成する技術を「ＭＥＭＳ２００７」で発表した（２２日のセッション３）。ＭＥＭＳ部にＣＭＯＳ ＬＳＩの配線工程を使うことから，ＣＭＯＳ部にはＣＭＯＳ ＬＳＩで実現可能な先端プロセスを利用できる。今回，同社の配線工程による圧力センサーの形成技術で圧力センサーをＣＭＯＳ部の上に形成した。さらに，信頼性を検証するため，圧力検知用のキャパ…
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