Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜３ビット／セルのＮＡＮＤ型フラッシュ東芝が２００７年下期に製品化へ
日経マイクロデバイス　第260号　2007.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第260号（2007.2.1）
ページ数	1ページ　（全1565字）
形式	PDFファイル形式　（206kb）
雑誌掲載位置	80ページ目

　東芝は，３ビット（８値）／セル技術を導入したＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを，業界に先駆けて２００７年下期に製品化する（図１）注１）。まず２００７年初頭に量産を開始する５６ｎｍ世代に適用し，１チップ当たりの容量を２ビット（４値）／セル品の１６Ｇビットから２４Ｇビットへと高める。さらに，２００７年下期〜２００８年の量産を計画する４３ｎｍ世代にもこの技術を導入し，１チップで４８Ｇビットを実現する注２…