Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜リソに頼らずメモリーを大容量化フラッシュやＤＲＡＭ，新型で相次ぐ
日経マイクロデバイス　第260号　2007.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第260号（2007.2.1）
ページ数	3ページ　（全4322字）
形式	PDFファイル形式　（931kb）
雑誌掲載位置	81〜83ページ目

　ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーのセルを３次元積層する，ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ＲＡＭ）を２ビット／セルに多値化する，ＤＲＡＭチップを貫通電極で積層する。微細化に頼ることなくメモリーの容量を増やすこうした“非微細化技術”の開発事例が，相次いでいる。微細化によらない大容量化手法の提案は従来からあったが，ここへ来て量産を意識したチップで実現するようになった。　さらに，大容量化の手法…