Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜３２ｎｍ世代の多層配線を開発異なる特性のｌｏｗ−ｋ膜を連続成膜
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6419字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1617kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53〜58ページ目 |
ＮＥＣとＮＥＣエレクトロニクスは共同で，３２ｎｍ世代に対応する多層配線を試作し，必要な特性を満たしていることを確認した。「配線ピッチが１００ｎｍと微細な多層配線を試作したのは世界で初めて」（ＮＥＣ）とする。低誘電率と高密着性，高い絶縁耐性などの３２ｎｍ世代に必要となる特性を同時に実現するために，新たな絶縁膜形成技術を開発した。特性の異なるｌｏｗ−ｋ膜を同一チャンバ内で連続的に形成する「密度変調ｌｏ…
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