Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜解像度，感度，ＬＥＲの同時改善にメド　東京応化と日立がＥＵＶ露光向けレジストを開発
日経マイクロデバイス　第258号　2006.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第258号（2006.12.1）
ページ数	2ページ　（全472字）
形式	PDFファイル形式　（266kb）
雑誌掲載位置	180〜181ページ目

　東京応化工業と日立製作所は，新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の委託事業において，超先端電子技術開発機構（ＡＳＥＴ）の協力を得て，ハーフピッチ３２ｎｍ世代以降で必要となるＥＵＶ露光向けポジ型およびネガ型低分子レジスト材料の基本技術を確立した。ＥＵＶ露光技術の中でも，レジスト材料の開発は最大の技術課題と位置付けられており，特に高解像度，高感度，低ＬＥＲ（ｌｉｎｅ−ｅｄｇｅ　ｒｏｕｇｈｎ…