Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜３２ｎｍの量産解像度が射程に キヤノンとニコンが ＥＵＶ露光装置の開発状況を示す
日経マイクロデバイス 第258号 2006.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第258号（2006.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全708字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （266kb） |
| 雑誌掲載位置 | 180ページ目 |
半導体露光装置大手のキヤノンとニコンが，ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，波長１３．５ｎｍ）露光装置の開発状況をそれぞれ明らかにした。両社とも２００９年に量産対応機の供給を開始する計画で，液浸ＡｒＦ露光装置の次世代機と位置付ける。２００６年１０月２５〜２７日に開催の２００６ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ａｎｄ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒ…
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