Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ５０ｍｍウエーハでｐ型ＺｎＯを形成〜５０ｍｍウエーハ上でｐ型ＺｎＯを形成 レーザー平面加熱装置「ＥｘＬＡＳＥＲ」
日経マイクロデバイス 第256号 2006.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第256号（2006.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全500字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （337kb） |
| 雑誌掲載位置 | 173ページ目 |
５０ｍｍウエーハ上でｐ型ＺｎＯの結晶成長ができるレーザー平面加熱装置（図２）。紫外ＬＥＤ材料として期待されているＺｎＯはｎ型になりやすく，ｐ型の結晶成長が難しい。ｐ型を作るためには，低温のＮ導入と高温のアニールを規則的に繰り返す必要がある。この時，昇降温のスピードが遅いとＺｎＯからＮが抜けてしまうため，急速に昇降温させる加熱技術が必要になる。そこで，今回はランプ光に比べて昇降温のスピードが速い半…
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