Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み Ｓａｍｓｕｎｇが見せたフラッシュ延命の道，多値の〜多値化技術を使わない多ビット化手法 新型セルの構造を活用して提案
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全917字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （419kb） |
| 雑誌掲載位置 | 78ページ目 |
多値化技術を使わずに，フラッシュの集積密度を高める−−。Ｓａｍｓｕｎｇは，「ＴＡＮＯＳ」の多値化技術の開発に注力する一方で，今回こうした視点で窒化膜トラップ構造セルの特徴を生かす手法をいくつも披露した。セル・トランジスタがプレーナ型の場合と，フィンＦＥＴの場合のそれぞれに対応する方法を提案している。 同社が提案する手法を多値化技術と組み合わせれば，４〜８ビット／セル以上の集積密度を実現できる。Ｎ…
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