Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ〜Ｓａｍｓｕｎｇが見せたフラッシュ延命の道 多値の新型セルとフィンＦＥＴを導入
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7256字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （419kb） |
| 雑誌掲載位置 | 73〜78ページ目 |
データ・ストレージ市場で需要を拡大してきたＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの微細化を，３０ｎｍ世代以降にどのようなセル技術で継続するのか。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，難題とされてきたこの技術課題への解を見いだした。電荷の蓄積方式を一新するとともにセル・トランジスタを３次元化し，微細化の壁を乗り越える。２００６年６月に開催された「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ…
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