Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＮＡＮＤ型の４ビット／セル技術 誤り訂正の高速化でＭ−Ｓｙｓｔｅｍｓが実現
日経マイクロデバイス 第254号 2006.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第254号（2006.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1635字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （154kb） |
| 雑誌掲載位置 | 94ページ目 |
ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの１セル当たりのビット数を，現行の２倍の４ビットに高める技術が登場した（図１）。イスラエルＭ−Ｓｙｓｔｅｍｓ社が，ＮＡＮＤ型フラッシュ向けの制御回路で実現した注１）。この制御回路をＮＡＮＤ型チップに組み込むと，２ビット／セル（４値）の現行セルとほぼ同じ構造のセルを４ビット／セル（１６値）に多値化できる。 Ｍ−Ｓｙｓｔｅｍｓは，ＮＡＮＤ型メーカーから供給されたＮＡＮＤ…
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