Ｔｕｔｏｒｉａｌ 低アレルギーのイオン打ち込みと，短時間アニールで〜イオン打ち込み技術● 微量の不純物を高精度に導入
日経マイクロデバイス 第253号 2006.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第253号（2006.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3377字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （515kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105〜107ページ目 |
Ｐｅｔｅｒ Ｈ． Ｒｏｓｅ米Ｅｐｉｏｎ Ｃｏｒｐ．Ｄｉｒｅｃｔｏｒ 半導体に不純物を導入するイオン打ち込み技術は，１９５２年に登場した１）。当時は固体の不純物をウエーハに接触させて電気炉で加熱し，ウエーハの中に不純物を拡散させていた。これに対して，不純物を含んだガスを放電させ，イオンを取り出してウエーハに打ち込むイオン打ち込み技術を使えば，電気炉では扱えない微量の不純物を高精度に導入することができ…
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