Ｔｕｔｏｒｉａｌ〜第６回●不純物導入プロセス 低エネルギーのイオン打ち込みと 短時間アニールで極浅接合を形成
日経マイクロデバイス 第253号 2006.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第253号（2006.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4310字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （515kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102〜104ページ目 |
連載の第６回では，トランジスタのソース・ドレインなどを形成する不純物導入プロセスを取り上げる。不純物導入プロセスは，半導体をｎ型とｐ型に作り分ける技術であり，トランジスタの多くの部位に使われている。このため，このプロセスはトランジスタの微細化や高性能化を大きく左右する。不純物を正確に導入するために，不純物イオンをウエーハに衝突させて埋め込むイオン打ち込み技術と，埋め込まれた不純物をＳｉと結合させる…
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