Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ラフネスを１分／ウエーハで高速測定 光学的手法で測定精度はＡＦＭ並み
日経マイクロデバイス 第253号 2006.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第253号（2006.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4241字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （330kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜88ページ目 |
われわれは，ＬＳＩの性能低下を招くメタル配線の数原子層分の凹凸（ラフネス）を，ウエーハ当たり約１分と短時間で測定する手法を開発した。ＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）による現行の測定手法では，ウエーハ全体のラフネスを測定するのに膨大な時間がかかってしまう。今回の手法では，これまで主にＳｉウエーハ表面の欠陥検査に利用していた光散乱法をラフネスの測定に応用するこ…
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