Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ウエーハ面内バラつきを１／２に削減〜ウエーハ面内バラつきを１／２に削減
日経マイクロデバイス 第248号 2006.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第248号（2006.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全587字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （361kb） |
| 雑誌掲載位置 | 103ページ目 |
ウエーハ面内の処理バラつきを従来に比べて最大で１／２に削減できるＵＶ（紫外線）熱処理装置（図４）。ＵＶ熱処理とは，ＵＶランプの光をウエーハに当てて薄膜材料を改質することを指す。例えば，ひずみＳｉトランジスタに使うＳｉＮキャップ層の応力や，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜の機械的強度を高めることができる。これまでは細長いＵＶランプで光を１回照射する方式だったため，ランプ形状に沿ってウエーハ面内に大きな処理…
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