Report[EDA]〜遅延故障のテスト・パターンの新評価法 STARCが開発
日経マイクロデバイス 第247号 2006.1.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第247号(2006.1.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2231字) |
形式 | PDFファイル形式 (226kb) |
雑誌掲載位置 | 101〜102ページ目 |
半導体理工学研究センター(STARC)は,LSIの遅延故障テストを高精度かつ低コストで実施できる新たなテスト・パターン評価法「Statistical Delay Quality Model(SDQM)」を開発した。プロセスの微細化で遅延故障が大きな問題になっていることに応えた。遅延故障とは,信号パスの遅延時間が想定値よりも大きくなってしまうことを指す。 例えば,OPC(光学近接効果補正)がうまく…
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