Tech−On!Ranking[LSI]〜65nm世代の超低消費電力プロセス Intelが初披露 0.7V動作をアピール
日経マイクロデバイス 第247号 2006.1.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第247号(2006.1.1) |
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ページ数 | 1ページ (全405字) |
形式 | PDFファイル形式 (250kb) |
雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
米Intel Corp.は,携帯電話機用論理LSIなどに向けた,65nm世代の超低消費電力LSI用プロセス技術を「2005 IEDM」で発表した。GHz超の高速マイクロプロセサをお家芸とする同社が,携帯電話機などに搭載する超低消費電力LSI向け専用プロセス技術を発表するのは初めてである。開発したプロセス技術は,同社が90nm世代以降の高速マイクロプロセサの量産品に適用している,「プロセスひずみ」…
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