Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＳＯＩ使うＦＥＴのリークを１／１００に 携帯通信端末向けに沖電気が開発
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号（2005.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2554字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （225kb） |
| 雑誌掲載位置 | 168〜169ページ目 |
ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板で携帯通信端末向けの超低リークＬＳＩを実現する技術を，沖電気工業が開発した。ＳＯＩトランジスタの特徴である高速性を損なうことなく，ゲート電圧を印加しない状態でのリーク電流（オフ・リーク電流）を従来比で１／１００に削減した注１）。２００７年の製品導入を目指す 沖電気工業が今回開発したのは完全空乏型注２）で，消費電力が１ｍ〜１０ｍＷと小さい電池駆…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2554字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒｅｐｏｒｔ［ＦＰＤ］〜ＰＤＰの発光効率向上と低電圧化を両立 電極保護膜の新技術で実現
Ｒｅｐｏｒｔ［ＭＥＭＳ］〜ＭＥＭＳ使った３軸加速度センサー 「３ｍｍ角，１００円」へ向けて競争激化
Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜富士通製カスタムＬＳＩ 米国ファブレスからの受注に成功
Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜マスク・レイアウト設計データの チェック装置，米ＫＬＡが発売
Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜シリコン・サイクルに代わる Ｓａｍｓｕｎｇの新半導体トレンド
