Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＣＭＯＳプロセスによる不揮発性メモリー 混載フラッシュの代替狙い続々登場
日経マイクロデバイス 第246号 2005.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第246号（2005.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2933字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （232kb） |
| 雑誌掲載位置 | 158〜159ページ目 |
ＣＭＯＳプロセスで実現する不揮発性メモリーが相次いで登場している（図１）。２００１年頃から米Ｖｉｒａｇｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｒｐ．が取り組んできたが，ここに来て，日米のベンチャが相次ぎメモリーＩＰ（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）として製品化する意向を明らかにした。米Ｋｉｌｏｐａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．注１）やＮＳＣｏｒｅ注２），米Ｉｍｐｉｎｊ， Ｉｎｃ．注３）などである。…
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