Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ＭＲＡＭの高集積・省電力化の切り札となるか ソニーが“Ｓｐｉｎ−ＲＡＭ”を開発 「２００５ ＩＥＤＭ」で発表
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号（2005.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全309字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （253kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98ページ目 |
ソニーは，ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）の基本素子であるＴＭＲ（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）の記憶層の磁化を電子スピンのトルクで反転させる新型メモリー「Ｓｐｉｎ−ＲＡＭ」を開発した。０．１８μｍルールのＣＭＯＳプロセスで形成した４Ｋビットのセル・アレイで，書き込み時間２ｎｓ，書き込み電流３００μＡ，動作回数１０５回を実証した。２００５年１２月５〜７…
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