Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜性能改善技術を駆使するロジック メモリーはＲｅＲＡＭとＭＲＡＭが進化
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号（2005.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3427字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （257kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84〜85ページ目 |
ロジックＬＳＩ向けトランジスタや不揮発性メモリー，ＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ）に関する革新技術が，１２月５日から米国で開かれる「２００５ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ ２００５）」に相次ぐ。ひずみＳｉにＦＵＳＩゲートを追加 ロジックＬＳＩ向けトランジスタでは，複数の性能改善技術を組み合わせた…
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