Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜混載ＤＲＡＭをキャパシタレスへ ＳＯＩ使う新型メモリーをルネサスが開発
日経マイクロデバイス 第245号 2005.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第245号（2005.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1373字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （153kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90ページ目 |
ルネサス テクノロジが，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板導入が本格化するｈｐ６５世代以降の大容量混載メモリーの有力候補と位置づける新型メモリーを開発した注１）。ＤＲＡＭのキャパシタをＳＯＩ基板上のＭＯＳ ＦＥＴで置き換える「ＴＴＲＡＭ（ｔｗｉｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ＲＡＭ）」である。充放電のための昇圧を不要に ＴＴＲＡＭは，ＳＯＩ基板上の二つのＭＯＳ ＦＥＴを直列接続した…
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